上海合俊驰半导体科技有限公司 main business:半导体科技、电子科技领域内的技术开发、技术服务，电子设备及配件、管材阀件、仪器仪表、环保设备、水处理设备、计算机及配件的销售。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2013年10月16日
- 葛林五
- 200.000000
- 2013年10月16日 至 2033年10月15日
- 徐汇区市场监督管理局
- 2013年10月16日
- 上海市徐汇区东安路8号715室
- 半导体科技、电子科技领域内的技术开发、技术服务，电子设备及配件、管材阀件、仪器仪表、环保设备、水处理设备、计算机及配件的销售。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 13954661 |  |
HJ C | 2014-01-21 | 集成电路；芯片（集成电路）；电子芯片；晶体管（电子）；电导体；半导体器件；发光二极管（LED）；电容器；电阻器；三极管； | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104779277A | 一种异质结场阻结构的IGBT及其制备方法 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种异质结场阻结构的IGBT，其包括发射极、栅极、漂移区、缓冲区、异质结集电极和金属焊接 |
| 2 | CN104779157A | 一种场阻型IGBT的制备方法 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种场阻型IGBT的制备方法，包括如下步骤：将含有场阻层和漂移层的第一晶圆与单侧表面具有 |
| 3 | CN104779276A | 一种具有超结结构的IGBT及其制备方法 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种具有超结结构的IGBT，所述具有超结结构的IGBT包括集电极、漂移区、P型基极区和N |
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